AGR21180EF datasheet
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>> AGR21180EF 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
AGR21180EF
库存数量:
可订货
制造商:
TriQuint Semiconductor
描述:
射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述
射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
AGR21180EF PDF下载
制造商
TriQuint Semiconductor
配置
Dual
晶体管极性
N-Channel
频率
2.11 GHz to 2.17 GHz
增益
14 dB
输出功率
38 W
汲极/源极击穿电压
65 V
漏极连续电流
闸/源击穿电压
15 V
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
21180EF
封装
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属性
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供应商
公司名
电话
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129491949(手机优先
谭玉丽
深圳市科翼源电子有限公司
13510998172
朱小姐
深圳市深美诺电子科技有限公司
82525918
李燕兵
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104791
刘先生
深圳市德力诚信科技有限公司
13305449939
王小姐
深圳市海天鸿电子科技有限公司
0755-82552857-809
彭小姐、刘先生、李小姐
深圳市企诺德电子有限公司
13480313979
胡
深圳市荣泽信电子科技有限公司
18028731859
荣泽信-晏S
深圳市硕赢互动信息技术有限公司
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