买卖IC网 >> 产品目录 >> AGR21180EF 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

AGR21180EF

库存数量:可订货
制造商:TriQuint Semiconductor
描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
RoHS:
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参数
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产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
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制造商 TriQuint Semiconductor
配置 Dual
晶体管极性 N-Channel
频率 2.11 GHz to 2.17 GHz
增益 14 dB
输出功率 38 W
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流
闸/源击穿电压 15 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 21180EF
封装
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